设备故障侦测与分类系统-智能错误侦测分类-缺陷分类控制-FDC系统-半导体FDC-吕氏贵宾会

东智设备故障侦测与分类系统 G-FDC

通过变量的控制以及统计学技术,对设备在制程过程中的异常进行侦测分析,并实时执行应对措施,提升设备OEE及产品良率。

制程建模 | 数据采集 | 汇总计算 | 侦测建模 | 数据分析 | 侦测模拟 | 联动控制

痛点

1、技术架构古老

单体应用,不支持微服务架构,不支持HA,不支持动态扩展,性能差,稳定性不高;

2、功能不齐备

数据的计算处理能力弱,灵活度不高,告警实时性不强,不支持自定义管控规则;

3、实施难度大

系统部署复杂,不支持容器化运维,初始化配置不方便,需要有大量的定制逻辑开发;

4、易用性不好

C/S架构,使用不便;需要管理大量的模型;存在太多无效告警;数据接口不全;

核心优势

  • 全新架构性能优异
    采用高性能的大数据技术架构; 支持高吞吐量、低延时的实时计算; 支持高可用的分布式系统部署; 支持微服务和容器化,资源可弹性扩展;
  • 功能全面完备
    支持多种形式的数据采集渠道和采集策略管理; 提供基于窗口的汇总计算和自定义场景计算; 全面支持所有西电管控规则,支持自定义开发; 提供实时数据、履历、模拟的数据分析报表;
  • 产品易用性好
    采用B/S架构,支持浏览器访问; 支持多种形式的部署,可本地化; 支持基于制程类型的建模,可一键管理上万实例; 开放所有系统接口,可自由定制报表;
  • 运维实施方便快捷
    傻瓜式的系统部署指引,配置简单方便; 支持虚拟化容器化部署,支持HA; 初始化配置支持批量导入导出,实施便捷; 系统逻辑可配置化,变更逻辑无需编码能力;

应用场景

面板制造

镀膜、蚀刻、曝光、研磨等制程的工艺参数管控,提升产品良率;

硅片制造

拉晶、线切、研磨、抛光等制程的工艺参数管控,降低工艺事故;

晶圆制造

研磨、抛光、外延等制程的工艺参数管控,减少设备故障;

芯片制造

镀膜、蚀刻、曝光、研磨等制程的工艺参数管控,降低废品率;

案例

案例:某面板企业模组厂FDC项目

项目背景:
模组厂新厂量产在即,迫切需求建设FDC系统;原自研FDC系统功能较弱,无法满足新厂新设备的管控需求。
项目共纳管设备3000+台,数据点10万+个,同时管控的侦测实例20万+个,支持1000+人的同时访问;

项目特色:
强化参数注册的防呆监控,Sensor监控Miss管理,提升注册及数据查询功能的易用性,提升操作效率;
通过管控阈值AutoRange的自适应规则,大量减少了无效告警的产生;
根据生产需求对部分设备采用Group管理,Sensor监控Miss更精准;

案例:某12寸芯片制造企业FDC系统

项目背景:
建设新厂,原FDC系统厂商因政策原因无法继续提供服务,急需寻找国产FDC系统替代厂商;
项目共纳管设备1000+台,数据点100万+个,同时管控的侦测实例200万+个,支持1000+人的同时访问;

项目特色:
FDC系统通过虚拟端口软件直连从设备采集数据,需支持InterFace A协议,支持最高10Hz的采集频率;
有较多的异构形态的数据采集需求,数据解析逻辑可配置,无需编码;
汇总统计算法和管控规则需求丰富全面,管控规则需要支持客户定制后导入系统应用;
海量数据查询时效性要求极高,30天数据1分钟内出结果并绘制Chart;

案例:某半导体硅片制造企业智能制造整合项目

项目背景:
原生产过程的工艺管控较弱,产品参数不良,自损,工时浪费的情况比较突出,急需通过FDC系统改善。
项目主要纳管粘棒、线切、脱胶、清洗等工艺设备,合计200+台,管控数据点10000+个,运行侦测实例30000+个;

项目特色:
将故障侦测与分类,品质智能分析,工艺调整三大模块进行整合,构建统一的数据平台,实现了数据的共享融合;
关键问题的解决经验及手段沉淀进行分类管理,构建知识库,在其他厂端复用;
系统上线三个月改善效果明显,产品良率上升5%,工时节约10%,生产协作效率获得较大提升;

功能模块

参数的侦测建模,定义侦测维度,数据过滤,侦测规则,设定侦测阈值;

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